半導體激光器與氦氖激光的對比

半導體激光器與氦氖激光的對比

波長(cháng)越短測量精度越高。氦氖激光波長(cháng)632.8納米，顯然優(yōu)于半導體激光635納米和650納米。

　　氦氖激光線(xiàn)寬窄穩定性高在諸多激光器中是的，這已經(jīng)是光學(xué)界的共識。

　　半導體激光器的線(xiàn)寬在各種激光器中是zui寬的，可以達到幾十至幾百cm-1，也就是說(shuō)半導體激光器的單色性是zui差的。

　　從激光原理看，激光發(fā)光與躍遷能級差有關(guān)，發(fā)光的波長(cháng)與能級差的關(guān)系可以描述為ΔΕ=hν=hс/λ式中h為普朗克常數，ν為波數，c為光速，λ為波長(cháng)，ΔΕ=E2-E1是上下能級之差。

　　半導體激光除了波長(cháng)長(cháng)，線(xiàn)寬寬，單色性差以外還有溫度穩定性差的突出缺點(diǎn)，所以很少用于計量與測試。它的優(yōu)點(diǎn)是工作電壓低、體積小、轉換效率高。因此可以廣泛用于對單色性要求不高的工業(yè)與民用場(chǎng)合。

　　氦氖激光受激發(fā)射是在原子的能級之間躍遷是一個(gè)定值，因此波長(cháng)λ也是一定的。

　　但是，半導體激光是電子在能帶之間躍遷，能帶本身有一個(gè)寬度，設電子低能態(tài)的能量為E1—E1 ΔE1之間，電子高能態(tài)E2—E2 ΔE2之間，躍遷能量ΔΕzui大值為E2-E1 ΔE2躍遷能量zui小值E2-E1-ΔE1。在此能量范圍之內，發(fā)出的光波長(cháng)當然也是不確定的。因此，半導體激光發(fā)出的波長(cháng)是在一個(gè)范圍之內的多種波長(cháng)的光的集合。