半導體激光器的工作原理簡(jiǎn)述

半導體激光器又稱(chēng)激光二極管，是用半導體材料作為工作物質(zhì)的激光器。由于物質(zhì)結構上的差異，不同種類(lèi)產(chǎn)生激光的具體過(guò)程比較特殊。常用工作物質(zhì)有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。 半導體激光器件，可分為同質(zhì)結、單異質(zhì)結、雙異質(zhì)結等幾種。同質(zhì)結激光器和單異質(zhì)結激光器在室溫時(shí)多為脈沖器件，而雙異質(zhì)結激光器室溫時(shí)可實(shí)現連續工作。

半導體激光器的工作原理簡(jiǎn)述

根據固體的能帶理論，半導體材料中電子的能級形成能帶。高能量的為導帶，低能量的為價(jià)帶，兩帶被禁帶分開(kāi)。引入半導體的非平衡電子-空穴對復合時(shí)，把釋放的能量以發(fā)光形式輻射出去，這就是載流子的復合發(fā)光。

一般所用的半導體材料有兩大類(lèi)，直接帶隙材料和間接帶隙材料，其中直接帶隙半導體材料如GaAs（砷化鎵）比間接帶隙半導體材料如Si有高得多的輻射躍遷幾率，發(fā)光效率也高得多。

半導體復合發(fā)光達到受激發(fā)射（即產(chǎn)生激光）的條件是：

①粒子數反轉分布分別從P型側和n型側注入到有源區的載流子密度很高時(shí)，占據導帶電子態(tài)的電子數超過(guò)占據價(jià)帶電子態(tài)的電子數，就形成了粒子數反轉分布。

②光的諧振腔在半導體激光器中，諧振腔由其兩端的鏡面組成，稱(chēng)為法布里一珀羅腔。

③高增益用以補償光損耗。諧振腔的光損耗主要是從反射面向外發(fā)射的損耗和介質(zhì)的光吸收。